上海宝山区铟泊回收之铟的用途

  铟是一种多用途的金属，具有熔点低、沸点高、传导性好，氧化物能形成透明的导电膜等特性，其应用范围正在不断扩大，特别是近年来，发现铟的用途越来越广泛，尤其是在半导体、导体、低熔点合金、铟锡氧化物、硒铟铜薄膜太阳能电池、光纤通讯、原子能、电视、防腐以及其他工业方面的应用越来越引起人们的关注和重视。除了以上用途外，利用铟合金熔点低的特点还可制成特殊合金，用于消防系统的闭路保护装置及自动控制系统的热控装置。

  由于铟具有较强的抗腐蚀性以及对光的反射能力，可以制成军舰或客轮上的反射镜，既可保持光亮长久不变，又能耐海水的腐蚀。另外，铟作为耐磨轴承、牙科合金、钢铁和有色金属的防腐装饰件、塑料金属化以及传统首饰纪念物的用途仍在继续增长。大约70%的铟是用于制备IT()(铟锡氧化物)，它可制成透明电极，用于计算机和其他显示屏上，尤其是LCD液晶显示器上， 这是ITO的最大(终端)用户。

  平面显示器是人类与电子世界“交流”的“界面”，它大大促进了可移动电子装置的发展，例如手机、掌上型电脑等。用于平板显示中的IT()膜对可见光透明、吸收紫外线、反射红外光具有很好的耐蚀性以及环境和热稳定性。 铟的第二大应用领域是焊料，例如焊膏和低熔点(易熔)合金，这些材料又有多方面的应用。铟还用于制作半导体材料，这种材料所制器件促进了高速数字网络的发展，从而能够处理日益增大的声音、影像和数字传输容量。

上海宝山区铟泊回收之铟市价格稳定 粗铟一量难求 

  铟市市场活跃度逐渐增强，与上周相比，有明显改善。无锡电子盘逐步上行，现货价格虽波动不大，但厂家报价重心逐步上移。目前商家对后市信心稍有改观，铟市处于半活跃状态。  

  粗铟市场：粗铟在原料供应紧张、能耗双控、环保事故、限电限产等多重因素干扰下，云南地区产量下滑、内蒙古产量不及预期，可流动现货紧张，可谓一量难求，持货商持价意愿坚定，目前粗铟不含税报价930-970元/千克左右。  

  精铟市场：现货市场交易虽不佳，据部分生产厂商反馈，在粗铟原料紧缺，现货紧张刺激下，下游精铟成交价同上周相比稍有上调，商家对后市信心增强。

  目前富宝精铟含税报价1140-1180元/千克。预计下周铟价稳中有增，具体需关注后市供需变化。  外市，周三晚外媒铟含税报价190一220（+10）美元/千克。

上海宝山区铟泊回收之铟对环境及人的健康危害 

  1863年，德国科学家赖希和里希特在研究闪锌矿样品时，用光谱法分析制取氧化锌溶液发现了铟。铟是银白色略带淡蓝色的金属，质地柔软，延展性和传导性良好。   

  近年来随着科技水平的发展，铟的应用领域在不断拓展。铟目前已经成为高新技术产业的重要生产原料，全世界有超过50%的铟被用来制造液晶产品，有大于70%的铟用氧化铟锡粉体、靶材、透明导电薄膜。近年来我国在工作岗位接触铟及其化合物的作业人员数量在不断增加，甚至有报道出现了“新的职业病病例——铟中毒”。铟对人体的可能危害成为人们关注的热点问题之一。   

  到20世纪90年代中期，有关铟的毒性作用资料还非常缺乏，纯金属形式的铟被认为是没有毒性的。1986年首次提到铟及其化合物毒性，可溶性铟盐、不溶性铟化合物颗粒的毒性在细胞及动物实验中陆续得到证实。2001年有报告指出，在处理铟锡氧化物的劳动者中有劳动者因吸入铟锡氧化物(Indium Tin Oxide，ITO)导致间质性肺炎并死亡。在近年的研究中，动物实验确认化合物半导体磷化铟有致癌作用，在其他的铟化合物加入磷化铟可观察到严重的肺损伤等。美国和英国已公布了铟的职业接触限值均为0.1 mg/m³。我国2013年新修订的《职业病分类和目录》将铟及其化合物中毒增加至职业性化学中毒，说明铟的毒性不可轻视。 

  在生产企业建设过程中，针对可能存在铟及其化合物污染的工程项目，需要做到卫生防护措施和生产工艺同时设计、同时施工、同时投产使用，做好有害因素的源头治理。  在铟及其化合物作业环境中，需要有效的通风设施，生产过程中尽可能封闭粉尘来源，保证工作场所铟及其化合物空气浓度标准符合国家职业卫生标准。  劳动者在工作场所必要时需要戴防尘口罩，遵守操作规程。从事铟及其化合物作业的人员应当定期接受职业健康检查，对存在职业禁忌者及时调离铟及其化合物作业场所。      

  PONY谱尼测试作为大型综合性第三方检验检测认证服务集团，出具的各类环境监测报告被广泛应用于环境影响评价、环保项目竣工验收、排污许可、环保税申报以及监督执法的依据等领域，为环境管理和科学决策发挥着积极的作用。

上海宝山区铟泊回收之氧化铟锡的主要特性

  氧化铟锡主要的特性是其电学传导和光学透明的组合。然而，薄膜沉积中需要作出妥协，因为高浓度电荷载流子将会增加材料的电导率，但会降低它的透明度。 氧化铟锡薄膜最通常是物理气相沉积、或者一些溅射沉积技术的方法沉积到表面。  

  因为铟的价格高昂和供应受限、ITO层的脆弱和柔韧性的缺乏、以及昂贵的层沉积要求真空，其它取代物正被设法寻找。碳纳米管导电镀膜是一种有前景的替代品(石墨烯是最佳的替代品)。这类镀膜正在被Eikos发展成为廉价、力学上更为健壮的ITO替代品。

  PEDOT和PEDOT:PSS已经被爱克发和H.C. Starck制造出来.PEDOT:PSS层已经进入应用阶段(但它也有当暴露与紫外辐射下时它会降解以及一些其他的缺点)。别的可能性包括诸如铝-参杂的锌氧化物。

上海宝山区铟泊回收之通过低溅射电压制备ITO薄膜的工艺和方法  

  1、低电压溅射制备ITO薄膜由于ITO薄膜本身含有氧元素，磁控溅射制备ITO薄膜的过程中，会产生大量的氧负离子，氧负离子在电场的作用下以一定的粒子能量会轰击到所沉积的ITO薄膜表面，使ITO薄膜的结晶结构和晶体状态造成结构缺陷。溅射的电压越大，氧负离子轰击膜层表面的能量也越大，那么造成这种结构缺陷的几率就越大，产生晶体结构缺陷也越严重，从而导致了ITO薄膜的电阻率上升，一般情况下，磁控溅射沉积ITO薄膜时的溅射电压在-400V左右，如果使用一定的工艺方法将溅射电压降到-200V以下，那么所沉积的ITO薄膜电阻率将降低50%以上，这样不仅提高了ITO薄膜的产品质量，同时也降低了产品的生产成本。  

  2、两种在直流磁控溅射制备ITO薄膜时，降低薄膜溅射电压的有效途径磁场强度对溅射电压的影响当磁场强度为300G时，溅射电压约为-350v；但当磁场强度升高到1000G时，溅射电压下降至-250v左右。一般情况下，磁场强度越高、溅射电压越低，但磁场强度为1000G以上时，磁场强度对溅射电压的影响就不明显了。因此为了降低ITO薄膜的溅射电压，可以通过合理的增强溅射阴极的磁场强度来实现。RF+DC电源使用对溅射电压的影响为了有效的降低磁控溅射的电压，以达到降低ITO薄膜电阻率的目的，可以采用了一套特殊的溅射阴极结构和溅射直流电源，同时将一套3KW的射频电源合理的匹配叠装在一套6KW的直流电源上，在不同的直流溅射功率和射频功率下进行降低ITO薄膜溅射电压的工艺研究。当磁场强度为1000G，直流电源的功率为1200W时，通过改变射频电源的功率，经大量的工艺实验得出：“当射频功率为600W时，ITO靶的溅射电压可以降到-110V”的结论。因此，RF+DC新型电源的应用和特殊溅射阴极结构的设计也能有效的降低ITO薄膜的溅射电压，从而达到降低薄膜电阻率的目的。  

  3、降低ITO薄膜电阻率的新沉积方法-HDAP法HDAP法是利用高密度的电弧等离子体（HDAP）放电轰击ITO靶材，使ITO材料蒸发，沉积到基体材料上形成ITO薄膜。由于高能量电弧离子的作用导致ITO粒子中的In、Sn达到完全离化，从而增强沉积时的反应活性，达到减少晶体结构缺陷，降低电阻率的目的。  利用同样成分的ITO材料，其它工艺条件保持一样，并在同样的基片温度下，分别进行“DC磁控溅射”、“DC+RF磁控溅射”、“HDAP法制备ITO薄膜”的实验。  

  实验结果可以看出，利用HDAP法能获得电阻率较低的ITO薄膜，尤其是在基片温度不能太高的材料上制备ITO薄膜时，使用HDAP法制备ITO薄膜可以得到较理想的ITO薄膜。基片温度到350℃左右时，这三种沉积方法对ITO薄膜电阻率的影响较小。

  通过扫描电镜对磁控溅射和HDAP法制备的ITO薄膜进行了微观分析。很明显HDAP法制备的ITO薄膜表面平坦、均匀。HDAP法制备ITO薄膜主要是针对基体材料不能加热，同时又要求ITO薄膜的电阻率较低的制成比较适用。