铟矿物多伴生在有色金属硫化矿物中，特别是硫化锌矿，其次是方铅矿、氧化铅矿、锡矿、硫化铜矿和硫化锑矿等。
虽然在一些有色金属精矿中铟得到初步富集，但由于铟品位低，一般不可直接作为提铟原料。而上述有色金属精矿经过冶炼或高炉炼铁后得到的粗锌、粗铅、炉渣、浸出渣、溶液、烟尘、合金、阳极泥等是提铟的主要原料。铟的提取工艺以萃取-电解法为主，这也是现今世界上铟生产的主流工艺技术。其原则工艺流程是：含铟原料→富集→化学溶解→净化→萃取→反萃取→锌(铝)置换→海绵铟→电解精炼→精铟。
上海普陀区氧化铟粉末回收分析国内铟产业发展：
本质是依赖出口的产业，是净出口型的产业
与部分有色金属情况相同，我国铟产业在国际上长期扮演着初级产品生产国的角色，虽然产量占据全球总产量的较大比例，但始终集中在产业链最前端。由于现阶段的产业结构，产销无法在国内实现循环。我国铟从某种程度上讲是依赖出口的，这也使得我国铟企业长期受制于人。
由于国内供需的原因，市场中短期陷入困境
由于目前国内产业结构的不平衡，我国国内下游消费企业无法消化目前国内的产量，铟依赖出口，铟价格长期受制于国外下游企业，而目前昆明库存总量几乎等于全球两年的全部铟总消费量，站在供求平衡的角度，如此巨量库存一旦流入市场，很可能对我国的铟企业产生颠覆性的冲击，价格可能会跌落至不可想象的地步。
上海普陀区氧化铟粉末回收之降低ITO薄膜电阻率的新沉积方法-HDAP法
这种沉积ITO薄膜方法的工作原理是利用高密度的电弧等离子体（HDAP）放电轰击ITO靶材，使ITO材料蒸发，沉积到基体材料上形成ITO薄膜。由于高能量电弧离子的作用导致ITO粒子中的In、Sn达到完全离化，从而增强沉积时的反应活性，达到减少晶体结构缺陷，降低电阻率的目的。
利用同样成分的ITO材料，其它工艺条件保持一样，并在同样的基片温度下，分别进行DC磁控溅射、DC+RF磁控溅射、HDAP法制备ITO薄膜的实验。由实验结果可以看出，利用HDAP法能获得电阻率较低的ITO薄膜，尤其是在基片温度不能太高的材料上制备ITO薄膜时，使用HDAP法制备ITO薄膜可以得到较理想的ITO薄膜。基片温度到350℃左右时，这种沉积方法对ITO薄膜电阻率的影响较小。通过扫描电镜对磁控溅射和HDAP法制备的ITO薄膜进行了微观分析。
（A）、（B）分别是磁控溅射和HDAP法制备的ITO薄膜的表面形貌图，很明显HDAP法制备的ITO薄膜表面平坦、均匀。HDAP法制备ITO薄膜主要是针对基体材料不能加热，同时又要求ITO薄膜的电阻率较低的制成比较适用。
上海普陀区氧化铟粉末回收之铟的产业链
铟产业链包括原生粗铟、精铟、高纯铟、ITO靶材、ITO导电膜、ITO导电玻璃、显示面板、触摸屏、铜铟镓硒导电膜等。
从替代性角度分析，由于全球铟回收产业较为成熟(经计算，回收铟占全球铟产量的50%以上)，因而原生粗铟和精铟的可替代性好，而高纯铟、ITO靶材、ITO导电玻璃、ITO导电膜等深加工、元部件产品技术成熟，在平面显示行业市场占有率高，短期内不会被其他产品替代。
从垄断性和盈利性分析，高端ITO靶材和高端ITO导电玻璃、ITO导电膜被日本、韩国几个公司垄断，利润率高。
上海普陀区氧化铟粉末回收之高纯铟的制备金属有机物法
有关这方面的文献较少， 文献[ 9 ] 研究了用 I n C l ，的吡啶络合物净化铟的方法， 产品经分析不含 F e 、 S n 、P b 等杂质。
s u M S采用 ( C 2 H 5 ) ，和 I n( C 2 H 5 ) ， 、C 6 H 5 c H 2 N ( C H) ， F作为电解液电解得到高纯铟n 。该方法得到的产品纯度高， 但烷基铝、 烷基铟， 价格昂贵，尚不能进行实际生产。
上海普陀区氧化铟粉末回收之铟市冷清需求持续疲软
本周（5.31-6.4）铟市成交仍旧清淡，无锡电子盘持续走弱，生产厂家报价无力跟随，中间商表示当前询盘稀少，价格低位成交受阻，预计短期铟市弱稳运行可能性偏大。
粗铟市场：目前铟市场处于第二季度淡季，市场成交清淡，粗铟价格跟随精铟价格下调，目前市场含税粗铟报价集中在1060-1100元/千克。
精铟市场：本周电子盘走弱，上游厂家生产积极性不高，下游基本按需采购。在市场悲观情绪的主导下，市场冷清，成交稀少。
目前富宝精铟含税报价1140-1180元/千克。外市，本周三晚外媒铟含税报价195一220（平）美元/千克。
