上海虹口区铟渣回收之镓铟锡合金的产品特性

  1.为灰白色有光泽金属，以铋元素、镓元素等为基的一类易熔合金。 

  2.熔点有47℃、70℃、92℃、120℃等多种选择；低熔点合金采用水浴法或者油浴法即可熔化。 

  3.强度室温下为30MPa，延伸率3％，硬度为25HBS。

上海虹口区铟渣回收之废铟蒸发面积和保温时间对提纯效果的影响  

  在蒸发空间体积一定的条件下，增大蒸发面积，可以降低金属的实际分压，从而使的金属的实际分压和饱和分压差值增大，因而，在增大物料的蒸发面积可以提高金属的增发速率，进而提高提纯效果。

  在低温蒸馏过程中，适当的缩短保温时间，可以大大减少主体金属铟的挥发，提高铟的直收率；高温蒸馏过程，缩短保温时间，可以降低挥发物中的Sn含量。

上海虹口区铟渣回收之纳米铟对于太阳能背板电池铝浆烧结的改性作用

  在光伏产业链上，铝浆是作为晶体硅太阳电池的肖电场（也称肖场）存在的，就是在太阳电池的背面制作一层与基区导电类型相同的重掺杂区。

  在烧结铝浆的过程中，当铝硅界面温度达到577℃以上时，铝原子以一定的比例熔入半导体晶硅中，温度降低时，铝硅合金系统冷却，硅原子在熔液中的溶解度下降，多余的硅原子从熔液中析出，形成掺有铝的外延层。那部分掺了铝的硅就与p区形成了p—p+结,这就是铝背电场。   

  铝浆所起作用  形成铝背p一p+结，提高开路电压；   形成硅铝合金对硅片进行有效地掺杂，提高效率；   能与硅形成牢固的欧姆接触。    

  铟与铝同属于第3主族，p轨道上都有1电子，性质相似，都能对硅起到掺杂作用形成p—p+结。

  铟的金属性比铝更强，即活性更高，更容易与硅形成欧姆接触，更容易对硅进行有效掺杂，形成的铝背电场强度更高，载流子浓度提高，宏观上表现为电导率提高。

  纳米铟大部分粒子分布在D90在80纳米以下，暴露在纳米粉体表面铟原子的活性极高，很容易对硅实现掺杂，提高晶体硅的电导率，同时小颗粒的铟粉，易于填充到微米铝粉堆积的空间中，使得导电相的排列紧密，形成导电网络，进而有助于提高电导率。

上海虹口区铟渣回收之富铟团簇量子结构的超凡光学特性

  铟基富铟团簇量子限制激光器是以InGaAs/GaAs为基本增益介质，利用外延材料生长时的高应变，在InGaAs顶层生成大量的富铟团簇。由于铟原子在高应变材料生长过程中会产生迁移释放应力，因此原有的InGaAs基层将部分失去铟原子，形成一种非常特殊的铟组分变化的多InGaAs增益区。这种结构的特殊光学特性至今才被发现和揭示是因为长期以来富铟团簇一直被误认为是材料结构的一种缺陷，以致绝大部分的研究都聚焦在如何避免它的产生，而忽视了对它的特殊光学性质的研究揭示。 

  富铟团簇量子限制结构特殊光学特性的发现为发展高性能半导体激光器开辟了新的空间。一方面，它可应用于发展基于单芯片的超宽调谐和光谱输出功率均匀一致的激光器，虽然可调谐半导体激光器作为有源光学器件已经获得广泛的应用，然而长期以来传统可调谐激光器较窄的光谱调谐宽度和非均匀的光谱功率在很大程度上制约了可调谐激光器的应用，也成为可调谐激光器发展和应用的瓶颈而一直未获突破。这主要归因于当前激光材料产生的较窄增益带宽和中心高两端低的固有增益谱特征。

上海虹口区铟渣回收之综合利用厂海绵铟系统开展萃取岗位考核竞赛   

  铟萃取岗位对整体铟生产起着至关重要的作用，为在2017年工作中，促进海绵铟萃取技术指标的长足进步，提升员工操作水平，近日，由该分厂技术科组织在萃取岗位开展了一次考核竞赛活动，为全年精铟产量的顺利完成奠定了良好基础。

  在活动开展之前，技术科制定了详细的萃取竞赛考核方案，并在海绵铟作业区召开了萃取竞赛研讨会，针对具体实施办法进行研讨。同时技术科深入萃取岗位向所有萃取女工征集意见和建议，保证考核竞赛的公平合理。此次考核竞赛以生产班次为考核单位，对四个班次建立考核档案，每个班次满分100分。分别针对生产完成情况、萃取前后液合格率、萃取槽运行情况等萃取岗位各项指标进行详细考核。月底再按照考核后各班组得分高低，依次进行排名，奖优罚劣。

上海虹口区铟渣回收之低电压溅射制备ITO薄膜

  由于ITO薄膜本身含有氧元素，磁控溅射制备ITO薄膜的过程中，会产生大量的氧负离子,氧负离子在电场的作用下以一定的粒子能量会轰击到所沉积的ITO薄膜表面，使ITO薄膜的结晶结构和晶体状态造成结构缺陷。溅射的电压越大，氧负离子轰击膜层表面的能量也越大，那么造成这种结构缺陷的几率就越大，产生晶体结构缺陷也越严重，从而导致了ITO薄膜的电阻率上升，图3是磁控溅射的电压与ITO薄膜电阻率的关系曲线。一般情况下，磁控溅射沉积ITO薄膜时的溅射电压在-400V左右，如果使用一定的工艺方法将溅射电压降到-200V以下，那么所沉积的ITO薄膜电阻率将降低50%以上（如图3所示），这样不仅提高了ITO薄膜的产品质量，同时也降低了产品的生产成本。根据豪威公司的实际工艺研究和应用的情况，下面介绍两种在直流磁控溅射制备ITO薄膜时，降低薄膜溅射电压的有效途径。  

  1、磁场强度对溅射电压的影响 　　磁控溅射制作ITO薄膜时，磁场对溅射电压影响的实验曲线。当磁场强度为300G时，溅射电压约为-350v；但当磁场强度升高到1000G时，溅射电压下降至-250v左右（如图4）。一般情况下，磁场强度越高、溅射电压越低，但磁场强度为1000G以上时，磁场强度对溅射电压的影响就不明显了。 　　因此为了降低ITO薄膜的溅射电压，可以通过合理的增强溅射阴极的磁场强度来实现。 　　 

  2、RF+DC电源使用对溅射电压的影响 　　为了有效的降低磁控溅射的电压，以达到降低ITO薄膜电阻率的目的，豪威公司还进行了以下的工艺  实验。即采用了一套特殊的溅射阴极结构和溅射直流电源，同时将一套3KW的射频电源合理的匹配叠装在一套6KW的直流电源上，在不同的直流溅射功率和射频功率下进行降低ITO薄膜溅射电压的工艺研究。当磁场强度为1000G，直流电源的功率为1200W时，通过改变射频电源的功率，经大量的工艺实验得出了如图5的实验曲线。当射频功率为600W时，ITO靶的溅射电压可以降到-110V。

  因此，RF+DC新型电源的应用和特殊溅射阴极结构的设计也能有效的降低ITO薄膜的溅射电压，从而达到降低薄膜电阻率的目的。

上海虹口区铟渣回收之HJT产业链的发展对铟有怎样的影响

   ITO靶材是HJT电池TCO镀膜工艺较优的选择，也是目前HJT产业界的首选。ITO靶材的成分中，有90-97%的比例为氧化铟，故而正在兴起的HJT产业链构成铟的增量需求。    

  根据SOLARZOOM新能源智库的测算，每生产1GW的HJT电池所消耗的铟金属约为4.0吨左右。而在8月20日HJT峰会迈为股份的PPT中，每1GW的HJT电池所消耗的铟金属约为2.89吨左右。之所以SOLARZOOM新能源智库和迈为股份的测算存在差异，主要原因是对于铟金属回收率的假定并不同、氧化铟占ITO的比重不同。我们假设残靶的利用率95%、挡板载板的回收率75%，并假设9010和973产品均有所用到。   

  目前，由于HJT产业链尚未大规模产业化，故而尚无GW级或10GW级靶材回收率的数据出来。因而，可以暂时以上述参数作为一个估计值。

上海虹口区铟渣回收之氧化铟锡(ITO)薄膜的介绍

  氧化铟锡(ITO)薄膜因具有可见光穿透率高且电阻系数低，目前已广泛应用于电子和光电工业上。本实验以反应磁磁溅镀法低温溅镀氧化铟锡薄膜于压克力基材上，藉由氧流量和厚度的研究，尝试得到一附着性佳、硬度高且在不影响其导电和光学性质下之最佳参数。   

  实验发现薄膜之附着性质主要受到其微结构和薄膜内残留应力所支配。由刮痕试验中，发现镀层破坏型态为一同形的半圆形裂痕轨迹（conformal cracking），为一张应力破坏模式产生。实验中藉由氧气流量增加，氧空位减少，避免晶格失序（disorder）或扭曲的现象，减少薄膜内残留之张应力以及在高氧流量有较低之溅镀速率可增加粒子轰击（peening）效果，故有较佳之附着性质且随着膜厚的增加，其附着性质亦随之减少。