上海普陀废旧铟丝回收之铟的用途

  铟是一种多用途的金属，具有熔点低、沸点高、传导性好，氧化物能形成透明的导电膜等特性，其应用范围正在不断扩大，特别是近年来，发现铟的用途越来越广泛，尤其是在半导体、导体、低熔点合金、铟锡氧化物、硒铟铜薄膜太阳能电池、光纤通讯、原子能、电视、防腐以及其他工业方面的应用越来越引起人们的关注和重视。除了以上用途外，利用铟合金熔点低的特点还可制成特殊合金，用于消防系统的闭路保护装置及自动控制系统的热控装置。

  由于铟具有较强的抗腐蚀性以及对光的反射能力，可以制成军舰或客轮上的反射镜，既可保持光亮长久不变，又能耐海水的腐蚀。另外，铟作为耐磨轴承、牙科合金、钢铁和有色金属的防腐装饰件、塑料金属化以及传统首饰纪念物的用途仍在继续增长。大约70%的铟是用于制备IT()(铟锡氧化物)，它可制成透明电极，用于计算机和其他显示屏上，尤其是LCD液晶显示器上， 这是ITO的最大(终端)用户。

  平面显示器是人类与电子世界“交流”的“界面”，它大大促进了可移动电子装置的发展，例如手机、掌上型电脑等。用于平板显示中的IT()膜对可见光透明、吸收紫外线、反射红外光具有很好的耐蚀性以及环境和热稳定性。 铟的第二大应用领域是焊料，例如焊膏和低熔点(易熔)合金，这些材料又有多方面的应用。铟还用于制作半导体材料，这种材料所制器件促进了高速数字网络的发展，从而能够处理日益增大的声音、影像和数字传输容量。

上海普陀废旧铟丝回收之铟丝的规格      

  按照客户对纯度、直径、长度的要求定制生产各种规格铟丝、铟珠、铟粒、铟棒等（可以客户提供尺寸）。  

  铟丝规格如下：    

  铟丝：In 99.995%  直径1mm      （常用规格）    

  铟丝：In 99.995%  直径1.5mm    （常用规格）    

  铟丝：In 99.995%  直径2mm        （常用规格）    

  铟丝：In 99.995%  直径2.5mm    

  铟丝：In 99.995%  直径3mm    

  铟丝：In 99.995%  直径4mm    

  铟丝：In 99.995%  直径5mm  

  用途：广泛用于电子行业，高科技密封材料，以及真空镀膜。

上海普陀废旧铟丝回收之铟的价格暴涨是否会阻碍HJT产业链的发展  

  根据SOALRZOOM新能源智库测算，即使铟价涨到5000元/kg，在考虑回收、膜层优化及背面一半AZO替代情况下的靶材成本也不会超过0.03元/W。而铟价如果上涨到11000元/kg，则每W的靶材成本正好上涨到0.05元/W。  

  根据SOLARZOOM新能源智库的测算，HJT电池相比PERC电池的性价比优势约为0.17-0.30元/W。两者的性价比差异既取决于生产成本的差异，又取决于高效率、高全生命周期每W发电量所带来的销售溢价。    

 考虑到靶材在当前铟价水平、5000元/kg、11000元/kg的铟价水平下的成本差异只有0.03元/W左右，故而我们认为：铟价的高低完全不会影响HJT对PERC及其他技术的性价比优势。如果说铟价对HJT的产业链发展有影响，最多只是影响传统PERC龙头企业相关决策人员的内心感受。

  因此，我们的结论是：铟的价格暴涨不会阻碍HJT产业链的发展。

上海普陀废旧铟丝回收之氧化铟锡镀层的讨论

  以钻石头刮取镀层表面，并辅以光学显微镜观察镀层破坏的模式。镀层的破坏型态光学显微镜照片，由图中可看出镀层为一完全附着于基材之同形状的半圆形裂痕轨迹（conformal cracking）。所以镀层破坏为一张应力破坏，因此在弹性限内镀层中若有残存轴向压应力，应有助于平衡相反之作用力所产生之张应力分量，如此便可增加临界荷重，亦即增加附着性。

随着氧气流量的增加，镀层内相对压应力随之增加，亦可从溅镀速率来得知。溅镀过程中溅镀速率的改变，会影响镀层之内应力；在较低之溅镀速率，亦即增加溅镀的时间，便可增加原子或离子对镀层锤击(peening)作用，会使得镀层内残留压应力随之增加。随着氧气流量增加，镀层之溅镀速率（depositionrate）随之降低，因此增加原子或离子对镀层锤击的时间，有提升压应力之效果。 

上海普陀废旧铟丝回收之上海普陀是全球第一大铟储量国    

  铟(Indium)于1863年由德国化学家赖希(H.Richter)在锌精矿中发现的，属稀散金属，且迄今未发现单一的或以铟为主要成分的天然铟矿床。在自然界中，铟矿物均以微量的形式分散伴生于其它矿物中，目前有工业回收粗铟价值的矿物主要为闪锌矿。许多合金在掺入少量的铟之后，可以提高强度、延展性、抗磨损与抗腐蚀的性能等，从而使铟得到了“合金的维生素”这样的美名，也有人称之为“奇妙的铟效应”。   

 上海普陀铟储量占世界总储量的73%以上，是全球第一大铟储量国，但目前，由于未发现独立铟矿，工业通过提纯废锌、废锡的方法生产金属铟，回收率约为60%-70%。此外，根据USGS(美国地质勘探局)的统计，全球铟(粗铟)探明储量预估5万吨，其中目前可开采的占50%。由此计算，在探明储量、可开采量不增长以及铟回收率不提升的基础上，目前能够得到可以使用的铟大约有1.5万吨-1.8万吨。然而从现阶段看，铟尚不构成对铜铟镓硒应用的影响。  

  国家能源集团方面相关研发人员表示：“倘若将全球1.8万吨可使用的铟，全部生产铜铟镓硒电池，能生产1800吉瓦，即使只有十分之一的量用到生产铜铟镓硒也能生产180吉瓦，就目前的铜铟镓硒产能而言，铟资源还是十分丰富的。”    另外据了解，上海普陀不仅是全球第一大铟储量国，还拥有株冶集团、中金岭南、锌业股份等多家全球领先的铟生产商，能够为持续增长的需求量提供强有力的供给。

上海普陀废旧铟丝回收之加快制定铟的职业卫生标准与技术规范

  我国制定了铟及其化合物的时间加权平均容许浓度(PC-TWA)和短时间接触容许浓度(PG-STEL)，按In计分别为0.1和0.3 mg/m3。目前铟职业接触生物限值、铟作业职业健康监护技术规范和铟所致职业病诊疗规范等还是空白。电感耦合等离子体质谱分析法(inductively coupled plasma mass spectrometry, ICP-MS)具有灵敏度高、检出限低的优点，是目前铟接触人群生物样本检测的首选方法。而基层单位多配备原子吸收光谱仪，仅满足工作场所空气中铟监测的需求。

  通过条件优化、引入基体改进剂、样本富集处理等方法，采用原子吸收光谱检测生物样本中微量铟亦在探索之中。因此，为了统一或规范铟及其化合物检测方法及其所致职业病监测指标，更好地指导实践，亟待补充或制定相应的职业卫生标准和技术规范。

上海普陀废旧铟丝回收之铟的价格走势

   纵观金属铟近10年的价格走势，除了2014年炒作导致铟一度狂飙至5000元/千克，近几年基本都一直徘徊在成本价附近，大概在1400-1580元/千克之间。    

  在偶发因素的刺激下，价格出现一定幅度的上涨是正常现象，但从综合存储量和产能等各方面看，铟价波动不会偏离正常价格区间太多。    

  随着开采技术、钻探技术、提纯技术、回收利用技术以及铜铟镓硒电池的制备技术不断提高，铟的供需已经进入到相对稳定时期。   

  铜铟镓硒薄膜产业将进入更低成本的高速发展期，万亿级薄膜太阳能市场将全面开启。稀有金属“铟”也将物尽其用，在稳步发展中迎来更广阔的施展空间。

上海普陀废旧铟丝回收之氧化铟锡在国内的发展

  在国内，ITO薄膜设备的制造和发展是20世纪80年代开始的，主要是一些单体式的真空镀膜设备，由于ITO工艺和制成方法的限制，因此产品品质较差、产量较小，当时的产品主要用作普通的透明电极和太阳能电池等方面。  

  20世纪90年代初，随着LCD器件的飞速发展，对ITO薄膜产品的需求量也是急剧的增加，国内部分厂家纷纷开始从国外引进一系列整厂ITO镀膜生产线，但由于进口设备的价格昂贵，技术服务不方便等因素，使许多厂商还是望而却步。  

  80年代末，中国诞生了第一条TN-LCD用ITO连续镀膜生产线。该生产线采用的工艺路线是将铟锡合金材料利用直流磁控溅射的原理沉积到基片的表面，并进行高温氧化处理，将铟锡合金薄膜转换成所需的ITO薄膜。这种生产线的特点是设备的产能较低，质量较差，工艺调节复杂。  

  90年代中期，随着国内LCD产业的发展，对ITO产品的需求量增大的同时，对产品的质量有了新的要求，因此出现了第二代ITO镀膜生产线。该生产线不仅产量比第一代生产线有了大幅度的提升，同时由于直接采用ITO陶瓷靶材沉积ITO薄膜，并兼容了射频磁控溅射沉积SiO2薄膜的工艺，使该生产线无论从产品的质量上、还是工艺可控性等方面与第一代生产线相比均有了质的飞跃。  

  99年，有效的解决了射频磁控溅射沉积SiO2薄膜的沉积速率慢影响生产线的产能和设备的利用率等一系列问题，同时出现了第三代大型高档ITO薄膜生产线。该生产线成功应用了中频反应溅射SiO2薄膜的工艺、采用全分子泵无油真空系统、独立的全自动小车回架机构。该生产线具备生产中高档STN-LCD用ITO薄膜材料的能力。  

  随着反射式LCD，增透式LCD、LCOS图影机背投电视等显示器件的发展，对ITO薄膜产品提出了更高的要求，SiO2/ITO两层膜结构的ITO薄膜材料满足不了使用的需要，而比须采用多层复合膜系已达到产品的高反射性、或高透过率等光学性能要求。积累多年的设计开发经验，国内生产企业推出了第四代大型多层薄膜生产线。该生产线由15个真空室组成，采用全分子泵无油真空系统、使用了RF/MF/DC三种磁控溅射工艺、通过PEM/PCV进行工艺气体的控制。该生产线具有连续沉积五层薄膜的能力。