上海虹口区铟靶材回收之氧化铟催化二氧化碳加氢制甲醇反应体系的发展

  我们重点从活性位点结构和反应机理的角度对催化剂性能改进策略进行了系统地归纳讨论。目前氧化铟催化二氧化碳加氢反应中仍存在一些重要的问题亟待解决。    

  1 在原位条件下确定In2O3表面活性位点的准确结构及其演变过程。氧空位是存在于大量金属氧化物表面的模糊性定义，其结构对反应物吸附活化形式和后续加氢路径均有重要影响。目前对氧空位的理解主要停留在以往的DFT计算模型中，其在反应过程中的准确结构需要进一步结合动力学实验和原位谱学表征进行分析，同时将活性位结构演变与催化过程进行关联，构建真实催化位点结构与性能之间的构效关系。    

  2 对DFT计算、动力学实验和原位表征进行关联。随着In2O3催化研究的不断发展，目前对该体系的理解已更为深入。原位表征发现在催化CO2加氢反应中In2O3的表面结构处于动态变化中。结合动力学实验与原位表征对DFT计算反应机理进行进一步验证，将是深入理解In2O3催化体系的有效方法之一。    

  3 提高In2O3在催化过程中的结构稳定性。目前实验表明，在反应过程中In2O3颗粒在还原性气氛中极易发生过度还原，即便经历再氧化过程也难以恢复原有的状态。探究In2O3颗粒的烧结机理，并通过催化剂结构优化方法提高In2O3催化结构稳定性是保证其高效催化CO2加氢制甲醇的重要研究内容。    

  4 抑制产物中CO和H2O的不利影响。副产物CO和H2O的存在易造成活性位点的泯灭与烧结。通过催化剂表面修饰和反应器设计及时移除副产物，抑制其不利影响也是进一步提升催化性能需要解决的问题。

上海虹口区铟靶材回收之铟产品的应用简介  

  铟的某些化合物，如氧化物、硫化物和磷酸盐，多用于制造黄色和橙黄色玻璃，以及特种光学玻璃。含有铋或镉的铟硼酸盐玻璃，能够吸收中等强度的X光，还可以吸收比热中子能量更高的中子。  

  铟的卤化物，其中如碘化铟，常用作金属卤化物灯中的添加剂，旨在增强照明的输出功率和改善光谱的质量。  

  铟锭：梯形，表面光洁，呈白色具有金属光泽，主要供制造多种合金、特殊焊、涂层、电子及生产高纯铟等部门使用。  

  三氧化二铟：淡黄色，用于荧光屏，玻璃，陶瓷，化学试剂等。  

  氢氧化铟：用于电池，玻璃，陶瓷化学试剂等。  

  高纯三甲基铟：白色结晶性晶体，主要用作GAEHI 工艺外延生长含铟化合物，半导体光电功能材料的原料。  

  高纯氯化铟：无色或白色粉末，主要用于制荧光粉、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体、低压纳灯、锰干电池无汞负极、（ 锌）防腐添加剂、ITO透明电池等。  

  铟是锗晶体管中的掺杂元素，在PNP锗晶体管生产中使用铟的数量最大。  

  每年铟在新用途方面的用量还以10%-20%的速度增加。因为其较软的性质在某些需填充金属的行业上也用于压缝。如：较高温度下的真空缝隙填充材料。

上海虹口区铟靶材回收之铟汞齐电解法

  由于铟在汞中有较大的溶解度( 7 0 . 3 %， 铟的原子百分数) ， 而其它杂质元素难溶于汞， 故可用此法来精炼铟。

  G a u m a n n ¨ 刮最先提出用汞齐电解法精炼铟， 发现该方法制得铟纯度高， 但同时也发现该方法不能通过一次电解将杂质降低到需要的范围。K o z r m L l 采用阶梯式双性汞齐电极和点阴极的电解槽进行多次精炼， 可使杂质含量进一步降低。铟汞齐电解法的优点有： 

  ① 使用铟汞齐电极， 由于杂质扩散速度快， 可避免电位较正的杂质在阳极表面累积。

  ② 杂质元素有一部分不溶于汞， 而铟能较好地溶于汞， 在阳极过程中即电解汞齐时， 铟又能和杂质较好分离。

  ③纯度比固体铟阳极电解法的纯度高。

  但该法也有它的不足之处：

  ①铟对汞具有高亲和性，导致难以除去汞。

  ②高温除汞造成产品容易被容器材料污染。

  ③必须利用一系列其他高纯试剂。

  ④汞具有毒性。

上海虹口区铟靶材回收之氧化铟锡的主要特性

  氧化铟锡主要的特性是其电学传导和光学透明的组合。然而，薄膜沉积中需要作出妥协，因为高浓度电荷载流子将会增加材料的电导率，但会降低它的透明度。 氧化铟锡薄膜最通常是物理气相沉积、或者一些溅射沉积技术的方法沉积到表面。  

  因为铟的价格高昂和供应受限、ITO层的脆弱和柔韧性的缺乏、以及昂贵的层沉积要求真空，其它取代物正被设法寻找。碳纳米管导电镀膜是一种有前景的替代品(石墨烯是最佳的替代品)。这类镀膜正在被Eikos发展成为廉价、力学上更为健壮的ITO替代品。

  PEDOT和PEDOT:PSS已经被爱克发和H.C. Starck制造出来.PEDOT:PSS层已经进入应用阶段(但它也有当暴露与紫外辐射下时它会降解以及一些其他的缺点)。别的可能性包括诸如铝-参杂的锌氧化物。

上海虹口区铟靶材回收之氧化铟锡(ITO)薄膜的介绍

  氧化铟锡(ITO)薄膜因具有可见光穿透率高且电阻系数低，目前已广泛应用于电子和光电工业上。本实验以反应磁磁溅镀法低温溅镀氧化铟锡薄膜于压克力基材上，藉由氧流量和厚度的研究，尝试得到一附着性佳、硬度高且在不影响其导电和光学性质下之最佳参数。   

  实验发现薄膜之附着性质主要受到其微结构和薄膜内残留应力所支配。由刮痕试验中，发现镀层破坏型态为一同形的半圆形裂痕轨迹（conformal cracking），为一张应力破坏模式产生。实验中藉由氧气流量增加，氧空位减少，避免晶格失序（disorder）或扭曲的现象，减少薄膜内残留之张应力以及在高氧流量有较低之溅镀速率可增加粒子轰击（peening）效果，故有较佳之附着性质且随着膜厚的增加，其附着性质亦随之减少。

上海虹口区铟靶材回收之高纯铟的制备低卤化合物法

  将铟转化为 I n C l 来纯化铟是最方便的。I n C l 的特征是能歧化为铟和 I n c l 3 ， 在水溶液中歧化程度更大，为此， 用水处理粉碎后的 I n C l 。为防止铟歧化后的I n c l 1 水解， 事先加酸使水酸化， 洗涤沉淀铟， 然后烧熔铸成锭_ l 。低卤化合物法易于合成， 效果好。

  但是，至今还未能控制好 I n C l 歧化析出铟的速度， 导致析出的铟不是小的晶体( 小晶体容易过滤) ， 而是海绵铟( 包含有较多的母液) 。所得的海绵铟需借助于机械压密。然后在甘油层下熔化， 铟中的残留母液进入甘油相， 方可得到高纯铟锭。