今天嘉定铟珠回收之粗铟真空蒸馏的热力学基础 

  真空蒸馏提纯主要是利用金属和杂质间饱和蒸气压的差别，在挥发和冷凝过程中将杂质除去，达到提纯的目的。

  该技术在真空条件下加热金属，因金属的沸点低于常压下的沸点而容易挥发，挥发出的金属气体又在较低的温度处冷凝成为金属液或者固体，蒸气压低的杂质则残存在残渣中，蒸气压比金属高的杂质则在排气中或者更低温处冷凝分离，这就达到除去部分杂质的效果。

今天嘉定铟珠回收之通过低溅射电压制备ITO薄膜的工艺和方法  

  1、低电压溅射制备ITO薄膜由于ITO薄膜本身含有氧元素，磁控溅射制备ITO薄膜的过程中，会产生大量的氧负离子，氧负离子在电场的作用下以一定的粒子能量会轰击到所沉积的ITO薄膜表面，使ITO薄膜的结晶结构和晶体状态造成结构缺陷。溅射的电压越大，氧负离子轰击膜层表面的能量也越大，那么造成这种结构缺陷的几率就越大，产生晶体结构缺陷也越严重，从而导致了ITO薄膜的电阻率上升，一般情况下，磁控溅射沉积ITO薄膜时的溅射电压在-400V左右，如果使用一定的工艺方法将溅射电压降到-200V以下，那么所沉积的ITO薄膜电阻率将降低50%以上，这样不仅提高了ITO薄膜的产品质量，同时也降低了产品的生产成本。  

  2、两种在直流磁控溅射制备ITO薄膜时，降低薄膜溅射电压的有效途径磁场强度对溅射电压的影响当磁场强度为300G时，溅射电压约为-350v；但当磁场强度升高到1000G时，溅射电压下降至-250v左右。一般情况下，磁场强度越高、溅射电压越低，但磁场强度为1000G以上时，磁场强度对溅射电压的影响就不明显了。因此为了降低ITO薄膜的溅射电压，可以通过合理的增强溅射阴极的磁场强度来实现。RF+DC电源使用对溅射电压的影响为了有效的降低磁控溅射的电压，以达到降低ITO薄膜电阻率的目的，可以采用了一套特殊的溅射阴极结构和溅射直流电源，同时将一套3KW的射频电源合理的匹配叠装在一套6KW的直流电源上，在不同的直流溅射功率和射频功率下进行降低ITO薄膜溅射电压的工艺研究。当磁场强度为1000G，直流电源的功率为1200W时，通过改变射频电源的功率，经大量的工艺实验得出：“当射频功率为600W时，ITO靶的溅射电压可以降到-110V”的结论。因此，RF+DC新型电源的应用和特殊溅射阴极结构的设计也能有效的降低ITO薄膜的溅射电压，从而达到降低薄膜电阻率的目的。  

  3、降低ITO薄膜电阻率的新沉积方法-HDAP法HDAP法是利用高密度的电弧等离子体（HDAP）放电轰击ITO靶材，使ITO材料蒸发，沉积到基体材料上形成ITO薄膜。由于高能量电弧离子的作用导致ITO粒子中的In、Sn达到完全离化，从而增强沉积时的反应活性，达到减少晶体结构缺陷，降低电阻率的目的。  利用同样成分的ITO材料，其它工艺条件保持一样，并在同样的基片温度下，分别进行“DC磁控溅射”、“DC+RF磁控溅射”、“HDAP法制备ITO薄膜”的实验。  

  实验结果可以看出，利用HDAP法能获得电阻率较低的ITO薄膜，尤其是在基片温度不能太高的材料上制备ITO薄膜时，使用HDAP法制备ITO薄膜可以得到较理想的ITO薄膜。基片温度到350℃左右时，这三种沉积方法对ITO薄膜电阻率的影响较小。

  通过扫描电镜对磁控溅射和HDAP法制备的ITO薄膜进行了微观分析。很明显HDAP法制备的ITO薄膜表面平坦、均匀。HDAP法制备ITO薄膜主要是针对基体材料不能加热，同时又要求ITO薄膜的电阻率较低的制成比较适用。

今天嘉定铟珠回收之铟的用途

  铟是一种多用途的金属，具有熔点低、沸点高、传导性好，氧化物能形成透明的导电膜等特性，其应用范围正在不断扩大，特别是近年来，发现铟的用途越来越广泛，尤其是在半导体、导体、低熔点合金、铟锡氧化物、硒铟铜薄膜太阳能电池、光纤通讯、原子能、电视、防腐以及其他工业方面的应用越来越引起人们的关注和重视。除了以上用途外，利用铟合金熔点低的特点还可制成特殊合金，用于消防系统的闭路保护装置及自动控制系统的热控装置。

  由于铟具有较强的抗腐蚀性以及对光的反射能力，可以制成军舰或客轮上的反射镜，既可保持光亮长久不变，又能耐海水的腐蚀。另外，铟作为耐磨轴承、牙科合金、钢铁和有色金属的防腐装饰件、塑料金属化以及传统首饰纪念物的用途仍在继续增长。大约70%的铟是用于制备IT()(铟锡氧化物)，它可制成透明电极，用于计算机和其他显示屏上，尤其是LCD液晶显示器上， 这是ITO的最大(终端)用户。

  平面显示器是人类与电子世界“交流”的“界面”，它大大促进了可移动电子装置的发展，例如手机、掌上型电脑等。用于平板显示中的IT()膜对可见光透明、吸收紫外线、反射红外光具有很好的耐蚀性以及环境和热稳定性。 铟的第二大应用领域是焊料，例如焊膏和低熔点(易熔)合金，这些材料又有多方面的应用。铟还用于制作半导体材料，这种材料所制器件促进了高速数字网络的发展，从而能够处理日益增大的声音、影像和数字传输容量。

今天嘉定铟珠回收之废铟真空度对提纯效果的影响  

  在真空条件下，蒸发分为：一般蒸发、沸腾蒸发、分子蒸发三种。由于蒸发压强有一定关系，当压强较高时，金属的蒸发速率很低，此时是一般蒸发；当压强开始降低时，金属的蒸发随着压强降低而明显升高，此时是沸腾蒸发；当压强降低到某一数值时，金属的蒸发速率不再增大，是一定值，此时的蒸发属于分子蒸发。三种其蒸发速率为：一般蒸发<沸腾蒸发<分子蒸发。

  因此，降低压强提高真空度，可以提高蒸发速率，从而提高提纯效果。

今天嘉定铟珠回收之铟矿物的性质

  铟矿物多伴生在有色金属硫化矿物中，特别是硫化锌矿，其次是方铅矿、氧化铅矿、锡矿、硫化铜矿和硫化锑矿等。虽然在一些有色金属精矿中铟得到初步富集，但由于铟品位低，一般不可直接作为提铟原料。而上述有色金属精矿经过冶炼或高炉炼铁后得到的粗锌、粗铅、炉渣、浸出渣、溶液、烟尘、合金、阳极泥等是提铟的主要原料。   

  铟的提取工艺以萃取-电解法为主，这也是现今世界上铟生产的主流工艺技术。其原则工艺流程是：含铟原料→富集→化学溶解→净化→萃取→反萃取→锌(铝)置换→海绵铟→电解精炼→精铟。