上海虹口含铟废料回收之氧化铟是二氧化碳制甲醇的高效催化剂
二氧化碳一直让世人又爱又恨，一方面是温室气体，另一方面又是来源丰富、价格低廉的化学原料（参考阅读：美国化学会C&EN：学会爱上CO₂）。
甲醇，基本有机原料之一，多种有机产品的重要砌块，也是汽油的替代燃料。工业上合成甲醇几乎全部采用来自石油的合成气生产甲醇。如果能将CO₂作为原料生产甲醇，将具有划时代的意义，化学家们也一直在尝试，X-MOL也曾报道过不少研究进展（相关阅读：诺贝尔奖得主George A. Olah教授报道将二氧化碳转化成甲醇的新方法）。但是，这些成果想要实现工业化，还需要面对成本、稳定性、反应条件等等挑战。
化学家早些时候已经可以在实验室中实现氧化铟（indium oxide）催化CO₂直接氢化（hydrogenation）得到甲醇，瑞士苏黎世联邦理工学院（ETH）教授Javier Pérez-Ramírez及其同事更进一步，使用氧化锆（ZrO₂）负载的氧化铟（In₂O₃）催化剂在类似于工业生产的条件下催化CO₂直接氢化制甲醇。该研究发表于《Angewandte Chemie International Edition》。（Indium Oxide as a Superior Catalyst for Methanol Synthesis by CO₂ Hydrogenation. Angew. Chem. Int. Ed., DOI: 10.1002/anie.201600943） 在近乎工业生产的条件下，这种氧化铟催化剂催化CO₂直接氢化制甲醇具有高活性、100%的甲醇选择性以及极高的稳定性（可连续使用1,000 h），性能远胜于工业上现有的无选择性且容易失活的Cu/ZnO/Al₂O₃非均相催化体系（在高温高压条件下氢化CO₂制甲醇）。
上海虹口含铟废料回收之纳米铟对于太阳能背板电池铝浆烧结的改性作用
在光伏产业链上，铝浆是作为晶体硅太阳电池的肖电场（也称肖场）存在的，就是在太阳电池的背面制作一层与基区导电类型相同的重掺杂区。
在烧结铝浆的过程中，当铝硅界面温度达到577℃以上时，铝原子以一定的比例熔入半导体晶硅中，温度降低时，铝硅合金系统冷却，硅原子在熔液中的溶解度下降，多余的硅原子从熔液中析出，形成掺有铝的外延层。那部分掺了铝的硅就与p区形成了p—p+结,这就是铝背电场。
铝浆所起作用 形成铝背p一p+结，提高开路电压； 形成硅铝合金对硅片进行有效地掺杂，提高效率； 能与硅形成牢固的欧姆接触。
铟与铝同属于第3主族，p轨道上都有1电子，性质相似，都能对硅起到掺杂作用形成p—p+结。
铟的金属性比铝更强，即活性更高，更容易与硅形成欧姆接触，更容易对硅进行有效掺杂，形成的铝背电场强度更高，载流子浓度提高，宏观上表现为电导率提高。
纳米铟大部分粒子分布在D90在80纳米以下，暴露在纳米粉体表面铟原子的活性极高，很容易对硅实现掺杂，提高晶体硅的电导率，同时小颗粒的铟粉，易于填充到微米铝粉堆积的空间中，使得导电相的排列紧密，形成导电网络，进而有助于提高电导率。
上海虹口含铟废料回收之再生铟的产量
再生铟：产量维持在1000吨左右 由于ITO靶材在溅射过程中，只有约30%能沉积在表面上，所以会产生大量的废料，铟的二次回收主要来源于这些废料。
根据SMM的数据，2014-2017年再生铟的产量均维持在1000吨左右规模，对此我们预计未来2018-2021年再生铟的产量分别是1000、1000、900、945吨（产量下滑主要是考虑到新冠疫情的影响）。
上海虹口含铟废料回收之铟的应用简介
金属铟具有延展性好，可塑性强，熔点低，沸点高，低电阻，抗腐蚀等优良特性，且具有较好的光渗透性和导电性，被广泛应用于宇航、无线电和电子工业、医疗、国防、高新技术、能源等领域。生产ITO靶材（用于生产液晶显示器和平板屏幕）是铟锭的主要消费领域，占全球铟消费量的70%；其次电子半导体领域，占全球消费量的12%；焊料和合金领域占12%；研究行业占6%。
由于铟锭具有较好的光渗透性和导电性，由高纯氧化铟和氧化锡的玻璃态复合物（ITO）在等离子电视和液晶电视屏工业中用来制作透明导电的电极，还用作某些气体测量的敏感元件。全球铟消费的70%都用来生产ITO靶材。
电子半导体和无线电领域 铟具有沸点高、低电阻和抗腐蚀等特性，在电子半导体和无线电行业也有广泛应用。有相当大部分的金属铟用于生产半导体材料。在无线电和电子工业中，铟用于制造特殊的接触装置，即将铟和银的氧化物经混合后压制而成。
上海虹口含铟废料回收之影响ITO薄膜导电性能的因素
ITO薄膜的面电阻（R□）、膜厚（d）和电阻率（ρ）三者之间是相互关联的，下面给出了这三者之间 的计算公式。即 R□=ρ/ d
（1）由公式（1）可以看出，为了获得不同面电阻（R□）的ITO薄膜，实际上就是要获得不同的膜厚和电阻 率。一般来讲，制备ITO薄膜时要得到不同的膜层厚度比较容易，可以通过调节薄膜沉积时的沉积速率和 沉积的时间来制取所需要膜层的厚度，并通过相应的工艺方法和手段能进行精确的膜层厚度和均匀性控制。而ITO薄膜的电阻率（ρ）的大小则是ITO薄膜制备工艺的关键，电阻率（ρ）也是衡量ITO薄膜性能的一项重要指标。公式（2）给出了影响薄膜电阻率（ρ）的几种主要因素 ρ=m*/ne2τ (2) 式（2）中，n、τ分别表示载流子浓度和载流子迁移率。当n、τ越大，薄膜的电阻率（ρ）就越小，反之亦然。而载流子浓度（n）与ITO薄膜材料的组成有关，即组成ITO薄膜本身的锡含量和氧含量有关，为了得到较高的载流子浓度（n）可以通过调节ITO沉积材料的锡含量和氧含量来实现;而载流子迁移率（τ）则与ITO薄膜的结晶状态、晶体结构和薄膜的缺陷密度有关，为了得到较高的载流子迁移率（τ）可以合理的调节薄膜沉积时的沉积温度、溅射电压和成膜的条件等因素。
所以从ITO薄膜的制备工艺上来讲，ITO薄膜的电阻率不仅与ITO薄膜材料的组成(包括锡含量和氧含量)有关，同时与制备ITO薄膜时的工艺条件（包括沉积时的基片温度、溅射电压等）有关。有大量的科技文献和实验分析了ITO薄膜的电阻率与ITO材料中的Sn、O2元素的含量，以及ITO薄膜制备时的基片温度等工艺条件之间的关系。
