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所在地: 上海 嘉定区
有效期至: 长期有效
最后更新: 2024-01-16 17:11
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上海铟渣回收之氧化铟锡的主要用途

  氧化铟锡(Indium Tin Oxide, ITO,或者掺锡氧化铟)是一种氧化铟(IIIA族,In2O3)和氧化锡(IVA族,SnO2)的混合物,通常质量比为90% In2O3和10% SnO2。它在薄膜状时,为透明无色。在粉或块状态时,它呈黄色。

  ITO主要用于制作液晶显示器、平板显示器、电浆显示器、触摸式显示器、电子纸等应用、有机发光二极管、以及太阳能电池、和抗静电镀膜还有EMI屏蔽的透明电传导镀膜。

  氧化铟锡薄膜通常是用电子束蒸发、物理气相沉积、或者真空溅镀的方法沉积到表面。铟的其他用途包括:车辆及飞机轴承、低温合金和銲料、核子反应器控制棒。



上海铟渣回收之氧化铟锡(ITO)薄膜的介绍

  氧化铟锡(ITO)薄膜因具有可见光穿透率高且电阻系数低,目前已广泛应用于电子和光电工业上。本实验以反应磁磁溅镀法低温溅镀氧化铟锡薄膜于压克力基材上,藉由氧流量和厚度的研究,尝试得到一附着性佳、硬度高且在不影响其导电和光学性质下之最佳参数。   

  实验发现薄膜之附着性质主要受到其微结构和薄膜内残留应力所支配。由刮痕试验中,发现镀层破坏型态为一同形的半圆形裂痕轨迹(conformal cracking),为一张应力破坏模式产生。实验中藉由氧气流量增加,氧空位减少,避免晶格失序(disorder)或扭曲的现象,减少薄膜内残留之张应力以及在高氧流量有较低之溅镀速率可增加粒子轰击(peening)效果,故有较佳之附着性质且随着膜厚的增加,其附着性质亦随之减少。



上海铟渣回收之降低ITO薄膜电阻率的新沉积方法-HDAP法

这种沉积ITO薄膜方法的工作原理是利用高密度的电弧等离子体(HDAP)放电轰击ITO靶材,使ITO材料蒸发,沉积到基体材料上形成ITO薄膜。由于高能量电弧离子的作用导致ITO粒子中的In、Sn达到完全离化,从而增强沉积时的反应活性,达到减少晶体结构缺陷,降低电阻率的目的。

利用同样成分的ITO材料,其它工艺条件保持一样,并在同样的基片温度下,分别进行DC磁控溅射、DC+RF磁控溅射、HDAP法制备ITO薄膜的实验。由实验结果可以看出,利用HDAP法能获得电阻率较低的ITO薄膜,尤其是在基片温度不能太高的材料上制备ITO薄膜时,使用HDAP法制备ITO薄膜可以得到较理想的ITO薄膜。基片温度到350℃左右时,这种沉积方法对ITO薄膜电阻率的影响较小。通过扫描电镜对磁控溅射和HDAP法制备的ITO薄膜进行了微观分析。

(A)、(B)分别是磁控溅射和HDAP法制备的ITO薄膜的表面形貌图,很明显HDAP法制备的ITO薄膜表面平坦、均匀。HDAP法制备ITO薄膜主要是针对基体材料不能加热,同时又要求ITO薄膜的电阻率较低的制成比较适用。



上海铟渣回收之铟不会制约薄膜太阳能发展   

  技术突围积极探索降本方法国家能源集团方面相关研发人员表示,“从中长期看,若铜铟镓硒组件得以在BIPV、汽车、飞机,甚至工商业分布式、大型地面电站等领域广泛应用,并且在回收铟的技术上没有突破的前提下,那么,囿于铟的储量、生产,大概率会影响铟的供求关系,从而影响铜铟镓硒的生产成本。”    

  实际上,以汉能为代表的新能源企业在规模化扩张铜铟镓硒产能的同时,也都在积极探索降本方法。如开发新型等离子喷涂靶材技术、靶材喷涂中损耗及残靶上的铟回收、RC镀膜产生固废铟回收、芯片切割及Web边缘的铟回收等手段,都是目前较为可靠的方案,可以大幅降低对铟的市场需求。    

  此外,在铜铟镓硒电池中适当增加镓的成分、减薄电池膜层等方式,也可以减少铟的用量。经测算,靶材喷涂中损耗及残靶上的铟回收率为98%,RC镀膜产生固废及无效Web上的铟回收率为95%,铜铟镓硒芯片转换效率以及生产良率的持续稳步提升,也能够降低约15%左右的铟用量需求。    

  随着铜铟镓硒研发技术提升,转换效率提高,生产良率提高,回收技术的充分利用,1吉瓦的铜铟镓硒铟净用量将降低到10吨以下,而中期目标则为5吨/吉瓦-6吨/吉瓦。    

  在众多入局薄膜太阳能市场的企业自主研发核心技术,不断创新进取的推动下,尽管目前铜铟镓硒组件的生产成本高于单多晶组件,专业人士仍然有信心凭借其低衰减,以及柔性化、弱光性的优势在BIPV(建筑光伏一体化),与汽车、快递车、低速电动车结合等方面会产生差异化的竞争力,市场份额将逐步扩大。



上海铟渣回收之铟的性质  

  金属铟(In)属于IIIA族金属元素,原子数为49,相对原子量为114.8,熔点156.61℃,沸点2060℃,相对密度7.31g/cm³。金属铟显银白略带淡蓝色,光泽亮丽,在弯曲时会发出鸣音。具有低熔点、高沸点、优良的热传导性和良好的延展性。它是面心四方晶体结构,是唯一具有四方结构而又有7%偏离于面心立方结构的金属,从而使其具有良好的可塑性。它在冷加工时不产生加工硬化现象,可压成极薄的铟箔。    

  铟有一价、二价和三价三种氧化态,其中三价最为常见。三价的铟在水溶液中是稳定的,而一价化合物受热通常会发生歧化反应。铟在空气中相当稳定,是最软固体金属之一。在常温下,铟不易被空气氧化。但在强热下,它燃烧并生成氧化铟。金属铟表面易钝化,一旦暴露在大气中,就出现类似于铝表面的薄膜。


上海铟渣回收之铟的主要用途:
铟元素发现迄今,已有近150年的历史,首先被德国物理学家发现。铟是一种抗腐蚀性强、延展性高和流动性好的银白色稀散金属,资源分布小而散,未发现其独立的富矿,仅作为杂质存在于锌及其他金属矿中。
金属铟具有延展性好,可塑性强,熔点低,沸点高,低电阻,抗腐蚀等优良特性,且具有较好的光渗透性和导电性,被广泛应用于宇航、电子工业和无线电、高新技术、能源、医疗、国防等领域。生产I吨O靶材(用于生产液晶显示器和平板屏幕等)是铟锭的主要消费领域;其次焊料和合金领域,电子半导体领域,研究行业等其他各种应用领域.


上海铟渣回收之铟的应用简介 

  金属铟具有延展性好,可塑性强,熔点低,沸点高,低电阻,抗腐蚀等优良特性,且具有较好的光渗透性和导电性,被广泛应用于宇航、无线电和电子工业、医疗、国防、高新技术、能源等领域。生产ITO靶材(用于生产液晶显示器和平板屏幕)是铟锭的主要消费领域,占全球铟消费量的70%;其次电子半导体领域,占全球消费量的12%;焊料和合金领域占12%;研究行业占6%。

  由于铟锭具有较好的光渗透性和导电性,由高纯氧化铟和氧化锡的玻璃态复合物(ITO)在等离子电视和液晶电视屏工业中用来制作透明导电的电极,还用作某些气体测量的敏感元件。全球铟消费的70%都用来生产ITO靶材。 

  电子半导体和无线电领域  铟具有沸点高、低电阻和抗腐蚀等特性,在电子半导体和无线电行业也有广泛应用。有相当大部分的金属铟用于生产半导体材料。在无线电和电子工业中,铟用于制造特殊的接触装置,即将铟和银的氧化物经混合后压制而成。


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